Semicon D44VH10G ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ BJT เดี่ยว NPN ผ่านรู TO-220 ชิป IC อิเล็กทรอนิกส์
|
พิมพ์
|
อธิบาย
|
|---|---|
|
หมวดหมู่
|
|
|
ผู้ผลิต
|
ออนเซมิ
|
|
ชุด
|
-
|
|
สถานะสินค้า
|
มีสินค้าในสต๊อก
|
|
ประเภททรานซิสเตอร์
|
NPN
|
|
ปัจจุบัน - สะสม (Ic) (สูงสุด)
|
15 อา
|
|
แรงดันไฟ - ตัวรวบรวม Emitter พังทลาย (สูงสุด)
|
80 V
|
|
Vce แรงดันอิ่มตัวลดลงที่ Ib ต่างกัน, Ic (สูงสุด)
|
400mV @ 400mA,8A
|
|
ปัจจุบัน - คัตออฟสะสม (สูงสุด)
|
-
|
|
เกนกระแสไฟตรง (hFE) ที่ Ic ต่างกัน, Vce (ขั้นต่ำ)
|
20 @ 4A , 1V
|
|
พลัง - สูงสุด
|
83 ว.
|
|
การเปลี่ยนความถี่
|
50MHz
|
|
อุณหภูมิในการทำงาน
|
-55 องศาเซลเซียส ~ 150 องศาเซลเซียส (TJ)
|
|
ประเภทการติดตั้ง
|
ผ่านรู
|
|
บรรจุภัณฑ์/สิ่งที่ส่งมาด้วย
|
TO-220-3
|
|
บรรจุภัณฑ์อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
|
TO-220
|
|
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
|
